12 grudnia 2025
Kampus Chorzów
Europe/Warsaw strefa czasowa

Modyfikacja właściwości elektronowych PdTe₂ i Bi₂Te₃ poprzez osadzanie warstw manganu

12 gru 2025, 10:20
20min
P/0/05 (Kampus Chorzów)

P/0/05

Kampus Chorzów

75. Pułku Piechoty 1, 41-500 Chorzów

Mówca

Katarzyna Balin (Uniwersytet Śląski w Katowicach)

Opis

Jednym z obszarów badań Zespołu Fizyki Fazy Skondensowanej jest wytwarzanie oraz analiza cienkich warstw i heterostruktur różnych układów - w szczególności izolatorów topologicznych. W prezentacji przedstawione zostaną wyniki dotyczące wpływu osadzania warstw manganu (Mn) na dwie kluczowe platformy materiałowe: półmetalowy nadprzewodnik PdTe₂ oraz izolator topologiczny Bi₂Te₃.

Heterostruktury wytworzono i scharakteryzowano metodami dostępnymi w Laboratorium Fizyki Powierzchni Uniwersytetu Śląskiego, jak również z użyciem linii PHELIX synchrotronu SOLARIS. Celem badań jest określenie, w jaki sposób domieszkowanie pierwiastkiem magnetycznym wpływa na stany elektronowe na powierzchni i w interfejsie materiałów o silnym sprzężeniu spin–orbita. Dzięki takim analizom możliwe jest lepsze zrozumienie procesów kluczowych dla projektowania nowoczesnych układów spintroniki i technologii kwantowych.

Dokumenty prezentacyjne

Jeszcze nie ma materiałów.